Kurzbeschreibung
Hochentropielegierungen (‚high entropy alloys‘, HEAs) haben sich in den letzten Jahren als neue Materialklasse etabliert und werden momentan intensiv erforscht. Durch gezielte Kombination verschiedener Elemente (in der Regel 5 bis 13) konnten vielversprechende Eigenschaften für verschiedene Anwendungsmöglichkeiten erreicht werden. Als Schichtmaterialien sind HEAs bisher allerdings nur wenig erforscht, insbesondere ist über refraktäre HEA-Schichten fast nichts bekannt. Diese Legierungen setzen sich im Wesentlichen aus Elementen, die zu den Refraktärmetallen Nb, Mo, Ta, W und Re gezählt werden, zusammen. Weitere Elemente werden zur Optimierung der Legierungs-eigenschaften hinzugefügt. Refraktärmetalle und deren Legierungen zeichnen sich allgemein durch eine hohe thermische Beständigkeit aus und werden häufig als Hochtemperatur-werkstoffe eingesetzt. Ziel des geplanten Projektes ist es refraktäre HEA-Schichten mittels physikalischer Gasphasenabscheidung zu synthetisieren und ihre thermische Stabilität im Detail zu erforschen, um letzten Endes eine Beurteilung zur Eignung dieser Schichten als Diffusionssperren für elektronische Komponenten, die, wie zum Beispiel in der Leistungselektronik, hohen thermischen Belastungen ausgesetzt sind, zu erreichen. Hierfür wird der Einfluss verschiedener Legierungselemente auf die Basislegierung MoNbTaW bezüglich Struktur und Eigenschaften von metallischen als auch von nitridischen HEA-Schichten untersucht. Detaillierte Informationen zur thermischen Stabilität und zur Diffusion von Cu werden mittels hochauflösenden Analysemethoden wie Transmissionselektronen-mikroskopie gewonnen. Die zyklische thermische Belastung der Schichten wird erste Erkenntnisse zur Zuverlässigkeit refraktärer HEA-Schichten liefern. Insgesamt gesehen soll mit dem geplanten Projekt eine breite wissenschaftliche Basis zu Struktur und Eigenschaften refraktärer HEA-Schichten geschaffen werden, die dann in weiterer Folge die gezielte Entwicklung von Diffusionssperrschichten auf Basis refraktärer HEAs für Anwendungen in der Leistungselektronik und ähnlichen Gebieten ermöglicht.